Toshiba發佈第三代650V碳化矽蕭特基障壁二極體，有助於提高工業設備效率

日本川崎–(BUSINESS WIRE)–(美國商業資訊)–
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation (“Toshiba”)已推出「TRSxxx65H系列」。這是該公司針對工業設備推出的第三代、也是最新一代^[1]碳化矽(SiC)蕭特基障壁二極體(SBD)。首批12款650V產品已於即日起開始大量出貨，其中7種產品採用TO-220-2L封裝，5種產品採用DFN8×8封裝。

第三代SiC SBD晶片新品採用新金屬，可促使第二代產品的接面位障蕭特基(JBS)結構最佳化^[2]。它們實現了業界領先的^[3] 1.2V（典型值）低正向電壓，比前一代的1.45V（典型值）低17%。它們還改善了正向電壓和總電容電荷之間以及正向電壓和逆向電流之間的平衡關係，從而減少了功耗並提高了設備的效率。

注釋：

[1] 截至2023年7月。

[2] JBS結構降低了蕭特基介面的電場強度並減少漏電流。

[3] 截至2023年7月，Toshiba調查。

應用

• 切換電源
• 電動車充電站
• 太陽能逆變器

特性

• 業界領先的^[3] 正向電壓：V_F＝1.2V（典型值）(I_F=I_F(DC))
• 低逆向電流：
  
  TRS6E65H I_R＝1.1μA（典型值）(V_R=650V)
• 低總電容電荷：
  
  TRS6E65H Q_C＝17nC（典型值）(V_R=400V, f=1MHz)

主要規格

請點選以下連結瞭解有關新產品的更多資訊。

TRS2E65H
TRS3E65H
TRS4E65H
TRS6E65H
TRS8E65H
TRS10E65H
TRS12E65H
TRS4V65H
TRS6V65H
TRS8V65H
TRS10V65H
TRS12V65H

請點選以下連結瞭解有關Toshiba SiC蕭特基障壁二極體的更多資訊。

SiC蕭特基障壁二極體

如需查看線上經銷商處新產品的供貨情況，請造訪：

TRS2E65H

線上購買

TRS3E65H

線上購買

TRS4E65H

線上購買

TRS6E65H

線上購買

TRS8E65H

線上購買

TRS10E65H

線上購買

TRS12E65H

線上購買

TRS4V65H

線上購買

TRS6V65H

線上購買

TRS8V65H

線上購買

TRS10V65H

線上購買

TRS12V65H

線上購買

* 公司名稱、產品名稱和服務名稱可能是其各自公司的商標。

* 本文件中的資訊，包括產品價格和規格、服務內容和聯絡資訊，在發布之日為最新資訊。如有更改，恕不另行通知。

關於Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation是先進半導體和儲存解決方案的領導廠商，憑藉半個多世紀的經驗和創新，為客戶和商業夥伴提供卓越的離散半導體、系統LSI和HDD產品。

公司在全球的2.15萬名員工共同致力於最大限度提高公司產品價值，不斷強化與客戶的密切合作，攜手創造價值，合作開發新市場。在目前近8000億日圓（61億美元）年銷售額的基礎上，Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation期待為全人類創造更美好的未來並做出相關貢獻。

如需瞭解更多資訊，請造訪：https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/top.html

免責聲明：本公告之原文版本乃官方授權版本。譯文僅供方便瞭解之用，煩請參照原文，原文版本乃唯一具法律效力之版本。

Source Link